*-cb.res

Output file about band structure, carrier distribution and recombination.

Format

$Position$　$E_{c}$　$E_{v}$　$E_{fn}$　$E_{fp}$　$n$　$p$　$J_{n}$　$J_{p}$　$R_{rad}$　$R_{non}$　$R_{auger}$　$E_{b}$　$E_{bh}$　$G_{gen}$　${N_{d}}^+$　${N_{a}}^{-}$　$R_{impact}$　

Parameter Explanation

• $Position$ : Applied Voltage. $(cm)$

• $E_{c}$ : Energy of conduction band. $(eV)$

• $E_{v}$ : Energy of valance band. $(eV)$

• $E_{fn}$ : Fermi lever of electron. $(eV)$

• $E_{fp}$ : Fermi lever of electron. $(eV)$

• $n$ : Carrier density of electron. $(cm^{-3})$

• $p$ : Carrier density of hole. $(cm^{-3})$

• $J_{n}$ : Current density of electron.$(Acm^{-2})$

• $J_{p}$ : Current density of hole.$(Acm^{-2})$

• $R_{rad}$ : Radiative recombination rate.$(cm^{-3}s^{-1})$

• $R_{non}$ : Non-radiative recombination rate.$(cm^{-3}s^{-1})$

• $R_{auger}$ : Auger recombination rate.$(cm^{-3}s^{-1})$

• $E_{b}$ : Work with Schrodinger solver, shows the highest position of confined eigen state.$(eV)$

• $E_{bh}$ : work with Schrodinger solver, shows the lowest position of confined eigen state.$(eV)$

• $G_{gen}$ : Generation.$(cm^{-3}s^{-1})$

• ${N_{d}}^+$ : Activated donor dopant.$(cm^{-3})$

• ${N_{a}}^{-}$ : Activated accept dopant.$(cm^{-3})$

• $R_{impact}$ : Impact ionization rate.$(cm^{-3}s^{-1})$