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Setting of doping region for each layer. '''<big><big>Format</big></big>''' $doping N L Nd Ea '''<big><big>Parameter explaination</big></big>''' * N : number of contiguous doping region <math>(\AA)</math> * Nd : doping concentration. <math>N_A(+) or N_D(-)</math> <math>(eV^{-1/2})</math> * Ea : Activation energy. <math>(meV)</math> '''<big><big>Example</big></big>''' $doping 3 500.0 1.00e+16 25.0 2000.0 1.00e+17 25.0 2500.0 1.00e+18 25.0 This setting means region of 0-500A has 1e16 doping concertraion, 500-2000A has 1e17 doping concentraion, 2000-2500A has 1e18 doping concentraion. And their activation energy is 25meV.<br> <big>'''The $doping setting for 1D-DDCC in GUI interface '''</big> <br> [[檔案:1d_$gatebias_fig1.jpg|1300px]]
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