「$negfifmaterial」：修訂紀錄

2019年6月17日 (星期一)

• 目前前筆 17:092019年6月17日 (一) 17:09 DDCC-3D 留言 貢獻 461位元組 +4 無編輯摘要

2019年6月14日 (星期五)

• 目前前筆 06:482019年6月14日 (五) 06:48 DDCC-3D 留言 貢獻 457位元組 +117 無編輯摘要

2018年7月30日 (星期一)

• 目前前筆 03:042018年7月30日 (一) 03:04 DDCC-3D 留言 貢獻 340位元組 +30 無編輯摘要
• 目前前筆 02:162018年7月30日 (一) 02:16 DDCC-3D 留言 貢獻 310位元組 +5 無編輯摘要
• 目前前筆 02:162018年7月30日 (一) 02:16 DDCC-3D 留言 貢獻 305位元組 +65 無編輯摘要
• 目前前筆 02:152018年7月30日 (一) 02:15 DDCC-3D 留言 貢獻 240位元組 +18 無編輯摘要
• 目前前筆 02:152018年7月30日 (一) 02:15 DDCC-3D 留言 貢獻 222位元組 +6 無編輯摘要

2018年7月29日 (星期日)

• 目前前筆 23:252018年7月29日 (日) 23:25 DDCC-3D 留言 貢獻 216位元組 +4 無編輯摘要
• 目前前筆 23:252018年7月29日 (日) 23:25 DDCC-3D 留言 貢獻 212位元組 +22 無編輯摘要
• 目前前筆 23:212018年7月29日 (日) 23:21 DDCC-3D 留言 貢獻 190位元組 −161 無編輯摘要
• 目前前筆 18:452018年7月29日 (日) 18:45 DDCC-3D 留言 貢獻 351位元組 +37 無編輯摘要
• 目前前筆 18:432018年7月29日 (日) 18:43 DDCC-3D 留言 貢獻 314位元組 +2 無編輯摘要
• 目前前筆 18:432018年7月29日 (日) 18:43 DDCC-3D 留言 貢獻 312位元組 +21 無編輯摘要

2018年7月24日 (星期二)

• 目前前筆 03:222018年7月24日 (二) 03:22 DDCC-3D 留言 貢獻 291位元組 +291 已建立頁面，內容為 "Now we only have two material structures for NEGF model, one is GaAs gate-all-around nanowire FET(GAA NWFET), the other is silicon-on-insulator(SOI) FinFET.<br> $neg..."