與 "1D HEMT" 相關的變更
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2024年10月14日 (週一)
新 22:07 | 1D HEMT Run the simulation (差異 | 歷史) . . (+152) . . Minnnnn (對話 | 貢獻) (已建立頁面,內容為 "'''● Simulate the device<br><br>''' 1000px<br><br> 1000px<br><br> 1000px<br><br>") |
新 22:05 | 1D HEMT Bias setting (差異 | 歷史) . . (+223) . . Minnnnn (對話 | 貢獻) (已建立頁面,內容為 "'''● Setting up the bias and Schottky barrier<br><br>''' You can refer to the $gatebias, $Schottky, $body-V, $opertemp, $calcgrid and $errors...") |
新 22:04 | 1D HEMT Set up the material parameters (差異 | 歷史) . . (+190) . . Minnnnn (對話 | 貢獻) (已建立頁面,內容為 "'''● Basic material parameters<br><br>''' Manually modify tau_n and tau_p for each layer.<br> You can refer to the $1Dparameters command.<br><br> File:1D_HE...") |
新 22:01 | 1D HEMT Build a structure (material region setting) (差異 | 歷史) . . (+266) . . Minnnnn (對話 | 貢獻) (已建立頁面,內容為 "'''● 1D_HEMT schematic structure'''<br><br> '''● Add layers'''<br><br> 1000px<br><br> 1000px<br><br> File:1D_HE...") |